D4SNS
TIMAR D4SNS SODIMM 内存条
采用JEDEC标准设计规范，采用优质DRAM资源，100%经过严格测试，具有优异的性能和兼容性。通过Bank Group技术实现8倍bit预取机制，动态模式提供最优的省电效能。支持所有DDR标准接口，无需硬件调试，适配即可应用。
特点
1、高质量组件：采用高质量颗粒，所有组件皆来自全球首屈一指的DRAM芯片供货商。
2、抵御严苛工业环境：提供宽温、30µ"金手指、抗硫化、ECC纠错功能等技术，满足各式工业应用环境需求。
3、 量身定制：提供多种DIMM类型与不同板高，适合各种嵌入式系统与空间有限的机台。
产品规格
| PN | TMD4SHEBA0432S-00N0 | TMD4SHEAB0832S-00N0 | TMD4SHCAD1632S-00N0 | TMD4SHCCD3232S-00N0 |
| Module Name | TIMAR D4SNS 4GB DDR4 | TIMAR D4SNS 8GB DDR4 | TIMAR D4SNS 16GB DDR4 | TIMAR D4SNS 32GB DDR4 |
| Interface | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM |
| Flash Type | 3D TLC | 3D TLC | 3D TLC | 3D TLC |
| Capacity | 4G | 8G | 16G | 32G |
| Rank | 1R×16 | 1R×8 | 1R×8 | 2R×8 |
| Speed (MT/s) | 3200 | 3200 | 3200 | 3200 |
| CAS Latency (tCK) | 22 | 22 | 22 | 22 |
| 时序 | 22-22-22 | 22-22-22 | 22-22-22 | 22-22-22 |
| 时钟 （MHz） | 1600 | 1600 | 1600 | 1600 |
| VDD/VDDQ(V) | 1.2V (1.14V~1.26V) | 1.2V (1.14V~1.26V) | 1.2V (1.14V~1.26V) | 1.2V (1.14V~1.26V) |
| VPP(V) | 2.5V (2.375V~2.75V) | 2.5V (2.375V~2.75V) | 2.5V (2.375V~2.75V) | 2.5V (2.375V~2.75V) |
| Operation Temperature | 0~85℃ | 0~85℃ | 0~85℃ | 0~85℃ |
| 金手指镀金厚度 | 30″ | 30″ | 30″ | 30″ |
| Dimension (WxLxH/mm) | 69.6 x （30 mm ± 0.15 mm）*（1.2 ± 0.1 mm） | 69.6 x （30 mm ± 0.15 mm）*（1.2 ± 0.1 mm） | 69.6 x （30 mm ± 0.15 mm）*（1.2 ± 0.1 mm） | 69.6 x （30 mm ± 0.15 mm）*（1.2 ± 0.1 mm） |
| PIN Count | 260 | 260 | 260 | 260 |
| Thermal Sensor | yes | yes | yes | yes |
| Storage Temperature | -55~100℃ | -55~100℃ | -55~100℃ | -55~100℃ |
