TIMAR TFWV30 microSDHC UHS-I 存储卡
高耐久性、高可靠性，能在恶劣环境下稳定工作。支持24小时不间断视频录入和多路监控视频录入。智能GC算法优化，确保了长时间数据录入的稳定性。生产流程严苛，全面提升了产品的品质和可靠性。
特点
1、具备高耐久度、高可靠性的特性工规级应用市场。
2、通过 GC 专利技术，减轻 Micro SD 卡 GC 对性能的影响，提升性能平滑度，从而避免性能达不到码流需求引发停录丢帧。
3、智能GC算法优化机制，保证长时间随机读写性能。
技术应用
宽温适应
提供多种工作温度范围产品选型，允许存储设备在-25℃至85℃ / -40℃至85℃温度范围内稳定工作。
pSLC技术
pSLC技术是一种将非SLC闪存模拟为SLC单层单元的技术。通过这种技术，非SLC闪存可以达到接近SLC闪存的使用寿命、可靠性以及性能。
pSLC分区技术
支持开辟一片逻辑分区用于保存重要数据，用户可以通过协议下发命令指定特殊lba范围，后续写入该lba范围的数据将永远存放在slc，使得数据具有高可靠性。
Telemetry Log
通过Telemetry Log能够收集内部数据日志，用于故障预测、根因分析以及改善产品功能和可靠性。相比传统SMART日志，Telemetry提供了更丰富的盘内运行轨迹信息，能够支撑完整的故障定位链路。
金手指镀金工艺
采用加厚金连接器，以增强耐磨和耐腐蚀性，保障接触稳定。
SPI模式兼容
老式系统和低端MCU的基础通信模式，对于嵌入式系统的兼容性至关重要。
S.M.A.R.T.
提供的自我监测功能，可以实时报告总写入数据量、剩余寿命、坏块数量等关键指标，帮助工程师在设备真正失效前采取措施。
TRIM功能
Erase/TRIM用于优化垃圾回收（GC）过程：通过提前告知存储设备哪些区块不再需要，帮助设备提前处理无效数据，提升写入性能并降低写入放大（WAF），延长使用寿命。
磨损均衡
通过静态磨损均衡（把长期不动的静态数据迁移走，释放冷数据占用的区块）和动态磨损均衡（尽量将新数据写入磨损次数少的区块），确保所有闪存区块被均匀使用，有效延长整体寿命。
动态坏块管理
坏块管理：闪存出厂或使用中会产生坏块，固件会标记并避开这些坏块，确保数据安全写入健康区块，是保证存储卡长期稳定工作的基础功能。
读干扰管理
读干扰管理：频繁读取某个区域的闪存可能会影响邻近区域数据。主控会自动读取并“刷新”这些数据，重新写入安全位置以进行保护和刷新，确保读取密集场景下的数据正确性。
产品规格
| PN | TMMSDF032GV30TW-E0N0 |
| Module Name | TIMAR TFWV30 32GB TF |
| Interface | UHS-I/SD 3.0 |
| Flash Type | 3D TLC(OP) |
| Capacity | 32GB |
| 速度等级 | C10 U3 V30 A2 |
| Operation Temperature | -40~85℃ |
| 传输速度（MB/s） | Up to 100 |
| TYPE | microSDHC |
| P/E CYCLES | 6000 |
| Dimension (WxLxH/mm) | 11*15*1 |
| 断电保护 | YES |
| S.M.A.R.T. | YES |
| Storage Temperature | -40~85℃ |
相关资源
产品规格书
TIMAR 32G microSD Datasheet
